PHD108NQ03LT,118

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 25V 75A DPAK

原厂封装：DPAK

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NXP恩智浦完整型号：PHD108NQ03LT,118

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 25V 75A DPAK

系列：TrenchMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：75A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16.3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1375pF @ 12V

功率 - 最大值：187W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK

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