PHD9NQ20T,118_PHD9NQ20T,118供应商_NXP代理商耐智电子

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NXP恩智浦完整型号：PHD9NQ20T,118

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK

系列：TrenchMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.7A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 4.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：959pF @ 25V

功率 - 最大值：88W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK

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NXP

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栅极和逆变器芯片

触发器逻辑芯片

单路﹐预偏压式晶体管

缓冲器，驱动器，接收器，收发器芯片

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