PHKD6N02LT,518

NXP | 场效应管阵列

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1

原厂封装：8-SO

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NXP恩智浦完整型号：PHKD6N02LT,518

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1

系列：TrenchMOS?

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10.9A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 3A，5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.3nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：950pF @ 10V

功率 - 最大值：4.17W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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