PHT2NQ10T,135

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223

原厂封装：SC-73

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NXP恩智浦完整型号：PHT2NQ10T,135

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223

系列：TrenchMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.5A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：430 毫欧 @ 1.75A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.1nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：160pF @ 25V

功率 - 最大值：6.25W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：SC-73

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PHT2NQ10T,135供应商-耐智电子

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