PMDPB38UNE,115

NXP | 场效应管阵列

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

原厂封装：6-HUSON

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NXP恩智浦完整型号：PMDPB38UNE,115

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：46 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：268pF @ 10V

功率 - 最大值：510mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-HUSON（2x2）

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PMDPB38UNE,115供应商-耐智电子

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