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PMDPB56XN,115代理

PMDPB56XN,115

NXP | 场效应管阵列
制造厂商:NXP(恩智浦)
功能简述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
原厂封装:6-HUSON
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  • NXP恩智浦完整型号:PMDPB56XN,115
  • 制造厂家名称:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
  • 系列:-
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.1A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):73 毫欧 @ 3.1A, 4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.9nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):170pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:510mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:6-HUSON(2x2)
  • 耐智电子是国内领先的PMDPB56XN,115供应商
  • PMDPB56XN,115供应商-耐智电子
  • NXP
    PTVS5V0S1UTR,115
  • NXP
    PBSS4260PANP,115
  • 触发器逻辑芯片
    74AVC16374DGG,518
  • 阵列﹐预偏压式晶体管
    PUMB11,115
  • 缓冲器,驱动器,接收器,收发器芯片
    74LVCH16541ADGG:51
  • 单端场效应管
    PSMN8R0-40PS,127
  • PMDPB56XN,115是NXP恩智浦公司的一款产品,NXP代理商耐智电子全程提供PMDPB56XN,115现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的PMDPB56XN,115供应商。

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