PMDPB70EN,115

NXP | 场效应管阵列

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN

原厂封装：6-DFN2020

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NXP恩智浦完整型号：PMDPB70EN,115

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：57 毫欧 @ 3.5A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：130pF @ 15V

功率 - 最大值：510mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-DFN2020（2x2）

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PMDPB70EN,115供应商-耐智电子

NXP

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单路﹐预偏压式晶体管

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