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PMDXB600UNE代理

PMDXB600UNE

NXP | 场效应管阵列
制造厂商:NXP(恩智浦)
功能简述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
原厂封装:6-DFN
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  • NXP恩智浦完整型号:PMDXB600UNE
  • 制造厂家名称:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
  • 系列:TrenchFET
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):600mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):620 毫欧 @ 600mA, 4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):21.3pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:265mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:6-DFN (1.1x1)
  • 耐智电子是国内领先的PMDXB600UNE供应商
  • PMDXB600UNE供应商-耐智电子
  • NXP
    PMDXB600UNEZ
  • NXP
    PMDXB950UPEZ
  • 触发器逻辑芯片
    74AHC74D-Q100J
  • 单路晶体管(BJT)
    BC856AT,115
  • 缓冲器,驱动器,接收器,收发器芯片
    74HCT2G17GV,125
  • 单端场效应管
    BUK7E1R9-40E,127
  • PMDXB600UNE是NXP恩智浦公司的一款产品,NXP代理商耐智电子全程提供PMDXB600UNE现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的PMDXB600UNE供应商。

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