PMV45EN2R

NXP | FET - 单

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 30V SOT23

原厂封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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NXP恩智浦完整型号: PMV45EN2R

制造厂家名称: NXP Semiconductors

功能总体简述: MOSFET N-CH 30V SOT23

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 4.1A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 42 毫欧 @ 4.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 6.3nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 209pF @ 15V

功率 - 最大值: 510mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装: TO-236AB（SOT23）

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