PMZB370UNE,315

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3

原厂封装：3-DFN1006B

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NXP恩智浦完整型号：PMZB370UNE,315

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：900mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：490 毫欧 @ 500mA， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.05V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.16nC @ 15V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：78pF @ 25V

功率 - 最大值：360mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-XFDFN

供应商器件封装：3-DFN1006B（0.6x1）

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PMZB370UNE,315供应商-耐智电子

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