PSMN006-20K,518

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 20V 32A 8-SOIC

原厂封装：8-SO

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NXP恩智浦完整型号：PSMN006-20K,518

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 20V 32A 8-SOIC

系列：TrenchMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：32A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：32nC @ 2.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4350pF @ 20V

功率 - 最大值：8.3W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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PSMN006-20K,518供应商-耐智电子

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