PSMN063-150D,118

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 150V 29A DPAK

原厂封装：DPAK

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NXP恩智浦完整型号：PSMN063-150D,118

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 150V 29A DPAK

系列：TrenchMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：150V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：29A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：63 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：55nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2390pF @ 25V

功率 - 最大值：150W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK

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PSMN063-150D,118供应商-耐智电子

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