PSMN2R0-30YLDX

NXP | FET - 单

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

原厂封装：SC-100，SOT-669，4-LFPAK

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NXP恩智浦完整型号: PSMN2R0-30YLDX

制造厂家名称: NXP Semiconductors

功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 2 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 46nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2969pF @ 15V

功率 - 最大值: 142W

安装类型: *

封装/外壳: SC-100，SOT-669，4-LFPAK

供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8

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PSMN2R0-30YLDX供应商-耐智电子

NXP

NXP

栅极和逆变器芯片

可变电容二极管

触发器逻辑芯片

单路晶体管(BJT)

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