PSMN6R1-30YLDX

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK

原厂封装：LFPAK56

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NXP恩智浦完整型号：PSMN6R1-30YLDX

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：66A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：817pF @ 15V

功率 - 最大值：47W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK

供应商器件封装：LFPAK56， Power-SO8

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PSMN6R1-30YLDX供应商-耐智电子

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