PSMN7R8-120ESQ

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

原厂封装：TO-262-3

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NXP恩智浦完整型号：PSMN7R8-120ESQ

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：120V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：70A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.9 毫欧 @ 25A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：167nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9473pF @ 60V

功率 - 最大值：349W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

供应商器件封装：TO-262-3

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PSMN7R8-120ESQ供应商-耐智电子

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