PHT6NQ10T_PHT6NQ10T供应商_Nexperia代理商耐智电子

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Nexperia公司器件型号：PHT6NQ10T,135

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离

功能总体描述：MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管

系列：TrenchMOS??

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：21nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：633pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），8.3W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 3A，10V

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

Nexperia公司标准封装：SOT-223

封装形式：TO-261-4，TO-261AA

PHT6NQ10T的标准包装数量(SPQ)：4000 PCS

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