PMN35EN_PMN35EN供应商_Nexperia代理商耐智电子

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Nexperia公司器件型号：PMN35EN,125

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离

功能总体描述：MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP

所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管

系列：-

零件状态：已经停产

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：9.3nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：334pF @ 15V

Vgs（最大值）：-

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：31 毫欧 @ 5.1A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

Nexperia公司标准封装：6-TSOP

封装形式：SC-74，SOT-457

PMN35EN的标准包装数量(SPQ)：3000 PCS

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