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ON安森美半导体完整型号：2SJ661-DL-1E制造厂家名称：ON Semiconductor描述：MOSFET P-CH 60V 38A系列：-FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：38A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：39 毫欧 @ 19A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4360pF @ 20V功率 - 最大值：1.65W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263-2耐智电子是国内领先的2SJ661-DL-1E供应商 
