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ON安森美半导体完整型号：2SK3738-TL-E制造厂家名称：ON Semiconductor描述：MOSFET N-CH 40V系列：-FET 类型：N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40V漏源极电压 (Vdss)：40V不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：50μA @ 10V漏极电流 (Id) - 最大值：1mA不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：2.3V @ 1μA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1.7pF @ 10V电阻 - RDS（开）：-安装类型：表面贴装封装/外壳：SC-75，SOT-416供应商器件封装：SMCP功率 - 最大值：100mW耐智电子是国内领先的2SK3738-TL-E供应商 
