2SK536-TB-E

ON | 单端场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N-CH 50V 0.1A

原厂封装：SC-59

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ON安森美半导体完整型号：2SK536-TB-E

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 50V 0.1A

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：50V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 欧姆 @ 10mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：15pF @ 10V

功率 - 最大值：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SC-59

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2SK536-TB-E供应商-耐智电子

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