2SK772E-AC

ON | JFET结点场效应

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA

原厂封装：3-SIP

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ON安森美半导体完整型号: 2SK772E-AC
制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能总体简述: JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA
系列: -
FET 类型: N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）: -
漏源极电压（Vdss）: 40V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）: 2.5mA @ 10V
漏极电流（Id） - 最大值: 20mA
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）: -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 9pF @ 10V
电阻 - RDS（开）: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: 3-SIP
供应商器件封装: 3-SPA
功率 - 最大值: 300mW
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