3LN01C-TB-H

ON | 单端场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

原厂封装：3-CP

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ON安森美半导体完整型号：3LN01C-TB-H

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：150mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.7 欧姆 @ 80mA，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.58nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7pF @ 10V

功率 - 最大值：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：3-CP

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3LN01C-TB-H供应商-耐智电子

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