BFR31LT1G

ON | JFET结点场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：JFET N-CH 225MW SOT23

原厂封装：SOT-23-3

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ON安森美半导体完整型号：BFR31LT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：JFET N-CH 225MW SOT23

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-

漏源极电压 (Vdss)：25V

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：1mA @ 10V

漏极电流 (Id) - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：2.5V @ 0.5nA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5pF @ 10V

电阻 - RDS（开）：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

功率 - 最大值：225mW

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BFR31LT1G供应商-耐智电子

FET - 单

线性稳压器芯片

单路晶体管(BJT)

单端场效应管

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