CS8312YDR8

ON | 外部开关MOSFET，电桥驱动器

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC

原厂封装：8-SOIC

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ON安森美半导体完整型号：CS8312YDR8

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC

系列：-

配置：低端

输入类型：非反相

延迟时间：30μs

电流 - 峰值：5mA

配置数：1

输出数：1

高压侧电压 - 最大值（自举）：-

电压 - 电源：7 V ~ 10 V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

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CS8312YDR8供应商-耐智电子

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