ECH8601M-TL-H

ON | 单端场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

原厂封装：8-ECH

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ON安森美半导体完整型号：ECH8601M-TL-H

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：24V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：8-ECH

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