ECH8690-TL-H

ON | FET - 阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N/P-CH 60V ECH8

原厂封装：8-SMD，扁平引线

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ON安森美半导体完整型号: ECH8690-TL-H

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N/P-CH 60V ECH8

系列: -

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平栅极，4V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 4.7A，3.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 55 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 955pF @ 20V

功率 - 最大值: 1.5W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装: 8-ECH

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