EFC4618R-P-TR

ON | FET - 阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET 2N-CH EFCP1818

原厂封装：*

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ON安森美半导体完整型号: EFC4618R-P-TR

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET 2N-CH EFCP1818

系列: -

FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能: 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）: -

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: -

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: -

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 25.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: -

功率 - 最大值: 1.6W

安装类型: *

封装/外壳: *

供应商器件封装: *

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