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ON安森美半导体完整型号：EFC6601R-TR制造厂家名称：ON Semiconductor描述：MOSFET 2N-CH EFCP系列：-FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：-电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：-不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：48nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装/外壳：6-XFBGA供应商器件封装：6-EFCP （2.7x1.81）耐智电子是国内领先的EFC6601R-TR供应商 
