EMH2417R-TL-H

ON | FET - 阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8

原厂封装：8-SMD，扁平引线

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ON安森美半导体完整型号: EMH2417R-TL-H

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8

系列: -

FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能: 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 11A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 10 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 16nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: -

功率 - 最大值: 1.3W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装: SOT-383FL，EMH8

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