J112G

ON | JFET结点场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：JFET N-CH 35V 350MW TO92

原厂封装：TO-92-3

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ON安森美半导体完整型号：J112G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：JFET N-CH 35V 350MW TO92

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35V

漏源极电压 (Vdss)：-

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：5mA @ 15V

漏极电流 (Id) - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1V @ 1μA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

电阻 - RDS（开）：50 欧姆

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体

供应商器件封装：TO-92-3

功率 - 最大值：350mW

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J112G供应商-耐智电子

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阵列﹐预偏压式晶体管

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