MCH6613-TL-E

ON | 场效应管阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N/P-CH 30V MCPH6

原厂封装：6-MCPH

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ON安森美半导体完整型号：MCH6613-TL-E

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V MCPH6

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：350mA，200mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.7 欧姆 @ 80mA，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.58nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7pF @ 10V

功率 - 最大值：800mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-SMD，无引线

供应商器件封装：6-MCPH

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MCH6613-TL-E供应商-耐智电子

晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

单端场效应管

线性稳压器芯片

单路晶体管(BJT)

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