NDD60N550U1T4G

ON | FET - 单

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3

原厂封装：TO-252-3，DPak

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ON安森美半导体完整型号: NDD60N550U1T4G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 8.2A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 550 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 540pF @ 50V

功率 - 最大值: 94W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装: DPAK

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NDD60N550U1T4G供应商-耐智电子

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