NGB8207BNT4G

ON | 单路IGBT

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3

原厂封装：D2PAK

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ON安森美半导体完整型号：NGB8207BNT4G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3

系列：-

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：365V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20A

Current - Collector Pulsed (Icm)：50A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.6V @ 4V，20A

功率 - 最大值：165W

Switching Energy：-

输入类型：逻辑

Gate Charge：-

25°C 时 Td（开/关）值：-

Test Condition：-

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

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