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ON安森美半导体完整型号：NGD18N45CLBT4G制造厂家名称：ON Semiconductor描述：IGBT 450V 18A DPAK系列：-IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：500V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：18ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：50A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.3V @ 4.5V，7A功率 - 最大值：115WSwitching Energy：-输入类型：逻辑Gate Charge：-25°C 时 Td（开/关）值：420ns/2.9μsTest Condition：300V， 1 千欧， 5V反向恢复时间 (trr)：-封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63安装类型：表面贴装供应商器件封装：DPAK-3耐智电子是国内领先的NGD18N45CLBT4G供应商 
