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ON安森美半导体完整型号: NGTB30N60L2WG制造厂家名称: ON Semiconductor功能总体简述: IGBT 600V 30A TO247系列: -IGBT 类型: -电压 - 集射极击穿（最大值）: 600V电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100A脉冲电流 - 集电极 (Icm): 60A不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 1.6V @ 15V，30A功率 - 最大值: 225W开关能量: 310μJ（开），1.14mJ（关）输入类型: 标准栅极电荷: 166nC25°C 时 Td（开/关）值: 100ns/390ns测试条件: 300V，30A，30 欧姆，15V反向恢复时间（trr）: 70ns封装/外壳: TO-247-3安装类型: 通孔供应商器件封装: TO-247-3耐智电子是国内领先的NGTB30N60L2WG供应商 
