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ON安森美半导体完整型号:NGTB40N60IHLWG制造厂家名称:ON Semiconductor描述:IGBT 600V 40A TO247系列:-IGBT 类型:沟道和场截止电压 - 集射极击穿(最大值):600V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80ACurrent - Collector Pulsed (Icm):200A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,40A功率 - 最大值:250WSwitching Energy:400μJ (关)输入类型:标准Gate Charge:130nC25°C 时 Td(开/关)值:70ns/140nsTest Condition:400V, 40A, 10 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):400ns封装/外壳:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247耐智电子是国内领先的NGTB40N60IHLWG供应商