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ON安森美半导体完整型号: NGTB50N60FL2WG制造厂家名称: ON Semiconductor功能总体简述: IGBT 600V 50A TO247系列: -IGBT 类型: 沟道和场截止电压 - 集射极击穿(最大值): 600V电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100A脉冲电流 - 集电极 (Icm): 200A不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2V @ 15V,50A功率 - 最大值: 417W开关能量: 1.5mJ(开),460μJ(关)输入类型: 标准栅极电荷: 220nC25°C 时 Td(开/关)值: 100ns/237ns测试条件: 400V,50A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr): 94ns封装/外壳: 通孔安装类型: *供应商器件封装: TO-247-3耐智电子是国内领先的NGTB50N60FL2WG供应商