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ON安森美半导体完整型号：NGTB50N60L2WG制造厂家名称：ON Semiconductor描述：IGBT 600V 50A TO247系列：-IGBT 类型：沟道和场截止电压 - 集射极击穿（最大值）：600V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：200A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.8V @ 15V，50A功率 - 最大值：500WSwitching Energy：800μJ （开）， 600μJ （关）输入类型：标准Gate Charge：310nC25°C 时 Td（开/关）值：110ns/270nsTest Condition：400V, 50A, 10 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：67ns封装/外壳：TO-247-3安装类型：通孔供应商器件封装：TO-247耐智电子是国内领先的NGTB50N60L2WG供应商 
