NSVMMUN2113LT3G

ON | 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：TRANS PREBIAS PNP SOT23-3

原厂封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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ON安森美半导体完整型号: NSVMMUN2113LT3G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: TRANS PREBIAS PNP SOT23-3

系列: -

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）: 47k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）: 47k

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 250mV @ 300μA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 246mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）

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NSVMMUN2113LT3G供应商-耐智电子

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