NTD4856N-35G

ON | 单端场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK

原厂封装：I-Pak

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ON安森美半导体完整型号：NTD4856N-35G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13.3A（Ta），89A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.7 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2241pF @ 12V

功率 - 最大值：1.33W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak

供应商器件封装：I-Pak

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NTD4856N-35G供应商-耐智电子

晶体管阵列

JFET结点场效应管

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