NTE4153NT1G

ON | 单端场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89

原厂封装：SC-89-3

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ON安森美半导体完整型号：NTE4153NT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：915mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：230 毫欧 @ 600mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.82nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：110pF @ 16V

功率 - 最大值：300mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-89，SOT-490

供应商器件封装：SC-89-3

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NTE4153NT1G供应商-耐智电子

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