NTGD4167CT1G

ON | 场效应管阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

原厂封装：6-TSOP

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ON安森美半导体完整型号：NTGD4167CT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A，1.9A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 2.6A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：295pF @ 15V

功率 - 最大值：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74，SOT-457

供应商器件封装：6-TSOP

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