NTHD2102PT1G

ON | 场效应管阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

原厂封装：ChipFET

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ON安森美半导体完整型号：NTHD2102PT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

系列：-

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：8V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：58 毫欧 @ 3.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 2.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：715pF @ 6.4V

功率 - 最大值：1.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：ChipFET

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NTHD2102PT1G供应商-耐智电子

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