NTLGD3502NT1G

ON | 场效应管阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

原厂封装：6-DFN

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ON安森美半导体完整型号：NTLGD3502NT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.3A，3.6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 4.3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：480pF @ 10V

功率 - 最大值：1.74W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-DFN（3x3）

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NTLGD3502NT1G供应商-耐智电子

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