NTMFD4C86NT1G

ON | FET - 阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

原厂封装：8-PowerTDFN

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ON安森美半导体完整型号: NTMFD4C86NT1G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

系列: -

FET 类型: 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 11.3A，18.1A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 5.4 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 22.2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1153pF @ 15V

功率 - 最大值: 1.1W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN（5x6）

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