NTQD6968N

ON | 场效应管阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP

原厂封装：8-TSSOP

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ON安森美半导体完整型号：NTQD6968N

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.2A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：630pF @ 16V

功率 - 最大值：1.39W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装：8-TSSOP

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NTQD6968N供应商-耐智电子

线性稳压器

双向可控硅

单端场效应管

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