NTR1P02LT1G

ON | 单端场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23

原厂封装：SOT-23-3

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ON安森美半导体完整型号：NTR1P02LT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.3A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：220 毫欧 @ 750mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.5nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：225pF @ 5V

功率 - 最大值：400mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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NTR1P02LT1G供应商-耐智电子

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