NTR4170NT3G

ON | 单端场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 3.2A SGL SOT23-3

原厂封装：SOT-23-3

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ON安森美半导体完整型号：NTR4170NT3G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 3.2A SGL SOT23-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：55 毫欧 @ 3.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.76nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：432pF @ 15V

功率 - 最大值：780mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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NTR4170NT3G供应商-耐智电子

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