NTTS2P02R2G

ON | 单端场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO

原厂封装：Micro8

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ON安森美半导体完整型号：NTTS2P02R2G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.4A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 2.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：550pF @ 16V

功率 - 最大值：780mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

供应商器件封装：Micro8

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NTTS2P02R2G供应商-耐智电子

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