NVJD5121NT1G

ON | FET - 阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

原厂封装：*

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ON安森美半导体完整型号: NVJD5121NT1G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 295mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 1.6 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 0.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 26pF @ 20V

功率 - 最大值: 250mW

安装类型: *

封装/外壳: *

供应商器件封装: *

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NVJD5121NT1G供应商-耐智电子

单路﹐预偏压式晶体管

FET - 单

线性稳压器芯片

单路晶体管(BJT)

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